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品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60LC IRFPC40 IRFPC50LC IRFP120 IRFP140 IRFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:16A | 開啟電壓:4 | 極間電容:3500

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF4N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG12N60A4D G12N60A4D | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產(chǎn)品類型:其他 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60F，SVD4N60D，SVD4N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A | 開啟電壓:600

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4D 20N60A4D | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO3P | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 跨導(dǎo):22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C FQPF5N60C FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:600

類型:MDP4N60TH | 品牌:MAGNACHIP | 型號:MDP4N60TH | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 跨導(dǎo):22 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:MAGNACHIP美格納 | 型號:MDP4N60TH | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:華晶 | 型號:CS4N60A3HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:4000 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:TO-220

品牌:進口原裝 | 型號:2N60，4N60， 5N60，10N60，12N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:332 | 夾斷電壓:22

產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60A4 RHRG3060 G15N60RUFD G15N60 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:標準 | 用途:MIN/微型 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:標準 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 極間電容:標準

品牌:OGFD | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU1N60C FQU2N60C FQU4N60C FQU5N60C FQU6N60C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:WISDOM | 型號:wfd2n60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D 30N60A4D | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SENSEFET電流敏感