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品牌:UTC/友順 | 型號:4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1

品牌:UTC/友順 | 型號:UF830 4N60L 7N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:TO-220/252 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

種類:場效應管 | 品牌:臺灣友順UTC | 型號:UTC4N60

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:TO-252/TO-220 | 開啟電壓:600V | 夾斷電壓:4A | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60 TO252 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:3 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:6.5

品牌:UTC | 型號:4N60G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝:TO-220

品牌:UTC/友順 | 型號:2n60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:線性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝:TO-252 T/R

品牌:UTC/友順 | 型號:UTC4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L-X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道