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種類:場效應管 | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO220

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60F，SVD4N60D，SVD4N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A | 開啟電壓:600

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:TO-252-2L;TO-220F-3L;TO-

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:11+ | 封裝:TO220

類型:穩壓IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD1N60 | 封裝:SOP/DIP | 批號:10+

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF4N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:15+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:TO-252

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:1406+ | 封裝:TO-220F

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF4N60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:MA | 跨導:1 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數:DB | 極間電容:PS | 最大耗散功率:MW