應用范圍:帶阻尼 | 品牌:長電 | 型號:DTC143ECA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | DTC143ECA:23
≥3 K
¥60.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MJD41C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
100-499 PCS
¥0.80
≥500 PCS
¥0.70
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MJD42C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO252
100-499 PCS
¥0.80
≥500 PCS
¥0.70
應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MJD3055 | 封裝形式:TO252
100-999 PCS
¥1.00
≥1000 PCS
¥0.95
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:11 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 截止頻率fT:11 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否
≥300 PCS
¥0.04
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC2412 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3
≥10 PCS
¥0.05
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9012 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23
≥3000 PCS
¥0.03
產品類型:MOS管 | 是否進口:是 | 品牌:長電 | 型號:2SD999 | 材料:硅(Si) | 封裝:to-220 | 工作溫度范圍:-55~+125(℃) | 功耗:225mw | 針腳數:2 | 批號:14+ | 類型:其他IC | 極性:NPN晶體管
≥10 PCS
¥1.00
品牌:長電 | 型號:SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 擊穿電壓VCBO:20 | 集電極最大允許電流ICM:2.8 | 截止頻率fT:60
≥3000 個
¥0.05
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO92 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝
≥1 K
¥47.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9018 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
≥3000 PCS
¥0.06
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9012 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
≥3 K
¥50.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBTA42 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥76.00
≥30 K
¥75.00
應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:MMBTA55 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0
≥3000 PCS
¥0.10
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBTA92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥76.00
≥30 K
¥75.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S8050 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥47.00
≥30 K
¥45.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT4401 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥56.00
≥30 K
¥55.00
應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:KTC3875GR | 材料:SOT-23 | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥46.00
≥30 K
¥45.00
應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:KTA1504 GR檔 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23
3-29 K
¥48.00
≥30 K
¥47.00
應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:S9014LT1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見產品說明 | 集電極最大允許電流ICM:詳見產品說明 | 截止頻率fT:詳見產品說明
≥3 K
¥23.00