1.mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
     2.主要參數
     1).開啟電壓VT
     ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
     ·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
     ·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
     2). 直流輸入電阻RGS
     ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
     ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
     ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
     3). 漏源擊穿電壓BVDS
     ·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
     4）. 柵源擊穿電壓BVGS
     ·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。