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應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSE13005-2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:700 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 截止頻率fT:0

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:RT1N441M-T111-1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323 | 針腳數(shù):2 | 封裝:SOT323

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:K2793 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:LT1084CP | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:w | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:mhz

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:D1439 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:W15NB50 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:C5929 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:SanKen/三墾 | 型號:C3679 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PHD3055E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:以實(shí)物為準(zhǔn) | 封裝:TO-252

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SC2625 C2625 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:w | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:mhz

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:進(jìn)口 | 型號:SB4060PT | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:w | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:mhz | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:深愛半導(dǎo)體 | 型號:MJE13003H TO-126 | 封裝形式:插件 TO-126

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2C4237 2SC4237 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:陶瓷直插 | 最低起批量:1PC | 營銷方式:拆機(jī)

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:長電 | 型號:B772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252 | 擊穿電壓VCBO:40 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:3

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:長電 | 型號:A94 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92