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應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK578 | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 最大漏極電流:100 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK539 | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 最大漏極電流:100 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低頻噪聲系數(shù):100

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M102 | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 最大漏極電流:100 | 低頻噪聲系數(shù):100 | 極間電容:100

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C5386 | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C5296 | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:D2553 | 材料:硅(SI)

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:A970GR C2240GR 2SC2240GR 2SA970GR | 封裝:TO-92 | 批號:2012+ | 封裝形式:直插型 | 材料:硅(Si) | 應(yīng)用范圍:放大

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2236 2SC2236Y C2236Y C2235Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SA965 2SA966 A965Y A966Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M103 | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 集電極最大允許電流ICM:20 | 截止頻率fT:100

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M303 | 封裝形式:TO3P/TO3PL | 集電極最大允許電流ICM:20 | 截止頻率fT:100

建議零售價:¥0.00 | 應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5445 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

建議零售價:¥0.00 | 應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5570 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

建議零售價:¥0.00 | 應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5612 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SB1201 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2847 | 功率:22 | 用途:儀器 | 封裝:TO-3P | 批號:新年份 | 材料:硅(Si) | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:功率

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC4793 | 封裝形式:TO-220-3 整包 | 擊穿電壓VCBO:原廠規(guī)格 | 集電極最大允許電流ICM:原廠規(guī)格 | 截止頻率fT:原廠規(guī)格

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK30A 2SK30ATM-Y 2SK30ATM-GR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:.