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品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PHD12N10E | 溝道類型:其他 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:功率

應用范圍:放大 | 品牌:其他 | 型號:3DD5C-T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUL1203E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:36 | 擊穿電壓VCBO:550 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:ST | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRC828E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:5 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

類型:其他IC | 品牌:KEC | 型號:KRX101E | 集電極最大耗散功率PCM:41 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:302 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:5 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 產(chǎn)品類型:TESV | 材料:硅(Si) | 是否進口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應用范圍:放大