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應用范圍:微波 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBT918 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.225 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:600

應用范圍:微波 | 品牌:FAIRCHILD飛兆半導體 | 型號:KST5179MTF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.35 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:900

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MJE13007 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:TIP42C/42C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP50N06 | 材料:硅(Si)

應用范圍:微波 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBTH10RG | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.225 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:450

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD6635 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:微波 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBTH10 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.225 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:450

應用范圍:微波 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MMBTH34 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:45

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD飛兆半導體 | 型號:kst2484 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.35 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSA812YMTF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:-0.1 | 截止頻率fT:180

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD飛兆半導體 | 型號:FSB619 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 封裝材料:塑料封裝

類型:其他IC | 品牌:其它品牌 | 型號:44797067983 | 功率:1 | 封裝:DIP/SMD | 批號:14+

應用范圍:功率 | 品牌:仙童 | 型號:2SC2073 | 封裝形式:TO-220

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2SC2073-2

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FZT649TA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-223

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N4403 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 擊穿電壓VCBO:詳見規格書 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD10AN06A0 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:KSE13009L | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO220

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJX733OTF | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.15 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:180 | 放大倍數hEF:70~140 | 結構:外延型 | 是否進口:是 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:-50