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類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF640N | 用途:L/功率放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TTA1943 TTC5200 | 加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:JM | 型號(hào):2N3773 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):A44 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):3DD13002B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:KEC | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:100 | 擊穿電壓VCBO:160 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:KEC | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:150 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 截止頻率fT:200

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:115 | 擊穿電壓VCBO:-100 | 集電極最大允許電流ICM:-15 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:70 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:230 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 截止頻率fT:200

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:80 | 擊穿電壓VCBO:120 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:200 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:SANKEN | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 截止頻率fT:70

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):全系列 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:-150 | 集電極最大允許電流ICM:-1.5 | 截止頻率fT:140

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):MMBT3904 1AM | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):2SA940 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 營(yíng)銷方式:廠家直銷 | 批號(hào):最新

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:CJ | 型號(hào):MMBTA42 1D | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 STO23 | 貨號(hào):ZYD-058

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3622A-L | 封裝形式:TO92