應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:NTR4003NT1G | 材料:硅(Si)
≥1 PCS
¥0.33
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJE172G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-225-3
10-99 PCS
¥1.50
100-999 PCS
¥1.00
≥1000 PCS
¥0.92
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON(安森美) | 型號:MJD45H11 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251(I-PAK)
≥100 PCS
¥0.55
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NCV4276ADS50G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝
≥1000 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MBR230LSF MBR230LSFT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOD-123FL | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:120
≥10 PCS
¥0.30
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJ802 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NCV1117ST20T3G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝
≥1000 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MBR120VLSF MBR120VLSFT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOD-123FL | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:120
≥10 PCS
¥0.30
建議零售價:¥0.00 | 應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD117G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJH6283配對MJH6286 | 材料:硅(Si)
≥1000 個
¥1.40
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBTA42 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:200 | 截止頻率fT:200
≥1 PCS
¥0.08
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJE13003 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:60 | 擊穿電壓VCBO:450 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):鍵型 | 封裝材料:樹脂封裝
≥500 PCS
¥0.40
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MUR8100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:DIP | 電壓,Vz:1 | 功耗:1 | 批號:1
≥1 PCS
¥1.00