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應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON安森美 | 型號:NTR4003NT1G | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJE172G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-225-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON(安森美) | 型號:MJD45H11 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251(I-PAK)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NCV4276ADS50G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MBR230LSF MBR230LSFT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOD-123FL | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:120

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJ802 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:NCV1117ST20T3G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:11 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MBR120VLSF MBR120VLSFT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOD-123FL | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0.5 | 截止頻率fT:120

建議零售價:¥0.00 | 應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD117G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJH6283配對MJH6286 | 材料:硅(Si)

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBTA42 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:200 | 集電極最大允許電流ICM:200 | 截止頻率fT:200

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJE13003 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:60 | 擊穿電壓VCBO:450 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):鍵型 | 封裝材料:樹脂封裝

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MUR8100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:DIP | 電壓，Vz:1 | 功耗:1 | 批號:1