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應用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:C5609 | 封裝形式:直插型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 供應商類型:經銷商

應用范圍:放大 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:C5609 | 封裝形式:TO--92 | 結構:平面型 | 類別:直插 | 發貨期限:1 | 供應商類型:自主生產廠商

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC5200 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:A1941，C5198 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:C4110 2SC4110 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:LRC/樂山無線 | 型號:L1SS226LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:SANKEN | 型號:C3679 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:1 | 結構:肖特基 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1

應用范圍:功率 | 品牌:模塊芯片 | 型號:C3679 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 擊穿電壓VCBO:1200V | 集電極最大允許電流ICM:10A | 截止頻率fT:1

應用范圍:功率 | 品牌:Sanken | 型號:2SC3300 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-3p

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3280 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 集電極最大耗散功率PCM:120 | 集電極最大允許電流ICM:12 | 截止頻率fT:30

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2792 C2792 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:A1145Y C2705Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:標準 | 集電極最大允許電流ICM:標準 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:標準 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:標準

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:C2655-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:2SC1384 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L | 屬性:屬性值

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUX48A | 功率特性:大功率 | 封裝外形:圓殼形 | 關斷速度:高頻(快速) | 反向重復峰值電壓:1 | 最大穩定工作電流:1 | 控制極觸發電流:1 | 極數:三極 | 額定正向平均電流:1 | 散熱功能:帶散熱片 | 控制方式:場控 | 封裝材料:金屬封裝 | 頻率特性:高頻

應用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BUK108-50DL | 材料:硅(Si)

應用范圍:帶阻尼 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:BCP53 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-223

應用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BF776 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SOT-343