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應用范圍:功率 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXGH32N60 | 封裝形式:直插型 | 類型:其他IC | 加工定制:否

品牌:進口品牌 | 型號:H15R1202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGA25N120 | 封裝形式:TO247

品牌:進口品牌 | 型號:5N120BND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC

應用范圍:功率 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20T1202 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:復合 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:三四五六七端穩壓IC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO220/TO220FTO-3P/TO-247

應用范圍:功率 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH50D-060A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:N/P型 | 溝道類型:其他 | 加工定制:否

品牌:進口 | 型號:FGA15N120 H20T120 K25T120 2SK790 2SK793 2SK794 2SK | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH40N60SMDF | 封裝形式:TO-247

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG27N120BN | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:72 | 極性:NPN型 | 結構:擴散型 | 產品類型:其他 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:1200 | 應用范圍:高反壓

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4D | 集電極最大耗散功率PCM:290 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:70 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 應用范圍:高反壓

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1202 | 功率:1 | 用途:H20R1202 | 封裝:TO247 | 批號:13+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:10N120BND | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:1200 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5570 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:2 | 跨導:100 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:500 | 用途:SW-REG/開關電源 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:250 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:23 | 極間電容:150 | 最大耗散功率:5

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGL60N100BNTD | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:180 | 擊穿電壓VCBO:1000 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100000 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1000 | 應用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H20R1203 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:230 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:40 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:1200 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:GW38IH130D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P