功率MOSFET（VDSS=500V，的Rds（on）=0.27ohm，ID =20A）
 
EXFET®功率MOSFET
帕金森病 - 9.1232
修訂版0
VDSS=500V
的RDS（on）=0.27Ω
ID=20A
超低柵極電荷
降低柵極驅動要求
增強型30V VGS額定值
減少西塞，科斯，反向傳輸電容
中央隔離安裝孔
動態dv / dt的額定
額定重復性雪崩
 
這個新系列低電荷HEXFET功率MOSFET的顯著實現
更低的柵極電荷比較傳統的MOSFET。利用先進的HEXFET
技術設備的改進允許，可降低柵極驅動要求，
更快的開關速度和總系統的儲蓄增加。這些裝置
改進結合HEXFETs的成熟耐用性和可靠性
提供設計師在功率晶體管的開關應用的新標準。
該TO-247包裝是首選的商業工業應用中，
更高的功率水平排除使用TO-220設備。該TO-247相似
但優于先前TO-218封裝，因為它的孤立的安裝孔。