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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON2407 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON2407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON1634 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON1634 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON6928 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON6928 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOC2802 WLCSP 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOC2802 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON5820 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON5820 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON2410 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON2410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOC2806 DFN技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOC2806 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOC2411 WLCSP 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOC2411 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- MOS 芯片電子器件 MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOP605 PDIP8 技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOP605 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N+P | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON5810 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON5810 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON1606 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON1606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON7428 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON7428 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON7611 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON7611 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOC2403 DFN技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOC2403 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON6240 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON6240 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管AOL1432 UltraSO8 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOL1432 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 芯片電子器件貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管AOL1428A UltraSO8技術(shù)
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOL1428A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AOC2422 DFN技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AOC2422 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON4420L DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON4420L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
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- 貼片MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 AON3419 DFN 技術(shù) 芯片電子器件
  
  品牌:美國(guó)AO(AOS) | 型號(hào):AON3419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
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