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品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4801A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4800B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4720 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4828 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4286 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4425 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:SW-REG/開關電源，SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插，CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道，N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4406 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8822 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:AO | 型號:AO4407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

類型:射頻IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFQ19 | 封裝:SOT-89 | 批號:來電查詢

類型:射頻IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFG591 | 封裝:SOT-223 | 批號:來電查詢

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO4620 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:美國AO(AOS) | 型號:AO8810 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

類型:射頻IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFG520 | 封裝:SOT-143B | 批號:來電查詢

類型:射頻IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFG135115 | 封裝:TO-92 | 批號:來電查詢

應用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT2907A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3 | 包裝:3000/盤

類型:其他IC | 品牌:ROHM | 型號:2SK3018 | 功率:- | 封裝:SOT-23

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML0100 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF8714 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件