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應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N5551 SOT-23 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:30 | 擊穿電壓VCBO:50 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:0.15 | 截止頻率fT:1500 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝

產品類型:其他 | 是否進口:是 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:TZMB2V7-GS08 | 材料:其他 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書 | 應用范圍:振蕩

應用范圍:功率 | 品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SB1295-TB | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 產品類型:SOT-23 | 是否進口:是 | 封裝材料:陶瓷封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書

應用范圍:振蕩 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SD2216J-(TX) | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 產品類型:SOT-523 | 是否進口:是 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書

品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SK1068-(TX) | 介質材料:其他 | 應用范圍:振蕩 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 產品類型:SOT-23 | 材料:其他 | 是否進口:是 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書

應用范圍:振蕩 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SD1383K T146B | 材料:其他 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書

類型:其他IC | 品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SD1328S(TX) | 集電極最大耗散功率PCM:詳見規格書 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:詳見規格書 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:詳見規格書 | 結構:平面型 | 產品類型:SOT-23 | 材料:其他 | 是否進口:是 | 封裝材料:其他 | 加工定制:否 | 介質材料:其他 | 擊穿電壓VCEO:詳見規格書 | 應用范圍:振蕩

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:LMBT2222ALT1G MMBT5551LT1 2N7002LT1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:PNP型

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7000 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片 | 產品類型:其他 | 用途:放大 | 是否進口:是

產品類型:開關管 | 是否進口:是 | 品牌:PANJIT/強茂 | 型號:UN521N | 材料:硅(Si) | 封裝:貼片/直插 | 工作溫度范圍:0-85（℃） | 功耗:0.1 | 針腳數:2-3 | 批號:新 | 用途:開關 | 主要參數:二三極管 | 是否提供加工定制:是

類型:其他IC | 品牌:Littelfuse/力特 | 型號:S2006DS3 | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:玻璃封裝 | 應用范圍:功率

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2N7000 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23