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應用范圍:功率 | 品牌:長電 ST NXP LRC ON | 型號:BZX84C3V0 | 材料:SOT-23 | 封裝形式:貼片型

應用范圍:開關 | 品牌:長電 / NXP / ON / INF | 型號:BC817-25 | 材料:SOT-23 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:200 | 集電極最大允許電流ICM:500 | 極性:NPN型

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:22 | 極性:PNP型 | 是否提供加工定制:是

類型:其他IC | 品牌:進口 | 型號:NCP1607BDR2G | 功率:22 | 用途:視頻影像、數字音頻、無線通 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 備注:進口原裝二極管 | 產品類型:整流管 | 材料:鍺(Ge)

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:UC2845 UC2845B UC2845BN UC2845BD1R2G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片/直插 | 批號:2013+ | 是否提供加工定制:是 | 封裝:DIP8/SOP8

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 產品類型:放大二極管 | 針腳數:3 | 工作溫度范圍:0

產品類型:肖特基管 | 是否進口:是 | 品牌:ON安森美 | 型號:MBRD640 | 材料:硅(Si) | 電壓，Vz:40V | 封裝:TO-252 | 工作溫度范圍:-65~150（℃） | 功耗:6°C/W Jc | 針腳數:3 | 批號:00+

產品類型:肖特基管 | 是否進口:是 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MBRD620 | 材料:硅(Si) | 電壓，Vz:- | 封裝:TO-252 | 工作溫度范圍:-（℃） | 功耗:- | 針腳數:- | 批號:-

產品類型:快恢復二極管 | 是否進口:否 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MUR440RLG | 材料:硅(Si) | 封裝:DO-201AD | 工作溫度范圍:詳詢（℃） | 功耗:詳詢 | 針腳數:詳詢 | 批號:14+

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT3906LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:其他 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:其他 | 截止頻率fT:其他 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:開關 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT4401LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23 | 集電極最大耗散功率PCM:225 | 擊穿電壓VCBO:60 | 集電極最大允許電流ICM:0.6 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

類型:穩壓IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:MC7818 | 封裝:TO-263 | 批號:11 | 是否提供加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD31C | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 封裝:TO-252

類型:其他IC | 品牌:ON/安森美 | 型號:MMBD2836LT1G | 封裝:SMD | 批號:2014 | 封裝形式:貼片型 | 產品類型:其他 | 應用范圍:放大

類型:其他IC | 品牌:ON，MOT | 型號:T40N03G | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:ON/安森美 | 型號:MCR100-8 | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:TO-92 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:0.8（A） | 控制極觸發電流:20（mA） | 最大穩定工作電流:1（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）

品牌:ON/安森美 | 型號:MCR100-6 | 控制方式:單向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:圓殼形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率

應用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:J31CG，，MJD31CG | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 封裝材料:金屬封裝