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品牌:AVX | 型號:TLJA476M010R0600 | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:調諧 | 外形:疊片形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:微調 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:10（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 損耗:0 | 額定電壓:10（V） | 絕緣電阻:22（mΩ） | 溫度系數:11 | 標稱容量:47

品牌:AVX | 型號:TAJB107K006RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:6.3（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:0 | 標稱容量:100

品牌:AVX | 型號:TPSB106M020R1000 | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:20（V） | 等效串聯電阻(ESR):33（mΩ） | 損耗:11 | 額定電壓:20（V） | 絕緣電阻:22（mΩ） | 溫度系數:11 | 標稱容量:10

品牌:進口 | 型號:TAJB154M050RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:50（V） | 等效串聯電阻(ESR):未知（mΩ） | 損耗:0.3% | 額定電壓:50（V） | 標稱容量:0.15

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:293D686X0010D2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WES英國韋斯特科德 | 型號:293D336X0010C2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:293D475X0016B2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D107X0004C2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:293D476X0010C2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:293D156X0010A2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WES英國韋斯特科德 | 型號:293D156X0010B2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:WES英國韋斯特科德 | 型號:293D105X0016P2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:33UF 10V C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:33UF 16V B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:1UF 16V A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AVX | 型號:TAJB107K006RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:6.3（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:0 | 標稱容量:100

品牌:AVX | 型號:TAJB686K006RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:高壓 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:16（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 損耗:0 | 額定電壓:0（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:0 | 標稱容量:**

品牌:AVX | 型號:TAJC225K035RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:高壓 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:16（V） | 等效串聯電阻(ESR):0（mΩ） | 損耗:0 | 額定電壓:0（V） | 絕緣電阻:0（mΩ） | 溫度系數:0 | 標稱容量:**

品牌:AVX | 型號:`TAJD157K006RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:6.3（V） | 額定電壓:6.3（V） | 標稱容量:150 | 封裝代碼:D型 | 供應AVX鉭電容:A型/B型/C型/D型/E型/V型

品牌:AVX | 型號:`TAJB107K006RNJ | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:6.3（V） | 額定電壓:6.3（V） | 標稱容量:100 | 封裝代碼:B型 | 供應AVX鉭電容:A型/B型/C型/D型/E型/V型