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品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPE330MFC2 | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節(jié)方式:可變 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):8（mΩ） | 損耗:8 | 額定電壓:8（V） | 絕緣電阻:8（mΩ） | 溫度系數(shù):8 | 標稱容量:8

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2TPLF330M7 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:10TRE68M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:10THB220M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPL470MC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPF470ML | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPE470MI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPC330MA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPE220MI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPE100MI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5THB470ML | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPE330MIC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TPE470MF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:10TPB220M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:16TQC33M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPF330M9L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:6TPE150MPC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2R5TRE220MAZB | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調節(jié)方式:可變 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±0.002（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):8（mΩ） | 標稱容量:8（uF） | 損耗:8 | 額定電壓:8（V） | 絕緣電阻:8（mΩ） | 溫度系數(shù):8