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DMP4025LSS-13

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供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DMP4025LSS-13
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES/美臺
Reel
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

DMP4025LSS-13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

DMP4025LSS-13
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

DMP4025LSS-13-F
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
DIODES
SOP-8
14GB
-
原裝現(xiàn)貨/特價

DMP4025LSS-13
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
40000
DIODES INC.
價格優(yōu)勢
2307
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

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DMP4025LSS-13 PDF下載

制造商
Diodes Incorporated
功能描述
MOSFET BVDSS
制造商
Diodes Incorporated
功能描述
MOSFET P CH 40V 6A SO-8

DMP4025LSS-13 技術參數(shù)

DMP3120L-7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PowerDI5060-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP4050SSDQ-13 DMP4050SSS-13 DMP4051LK3-13 DMP4065S-13 DMP4065S-7 DMP45H150DHE-13 DMP45H21DHE-13 DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HK3-13 DMP510DL-13 DMP510DL-7 DMP56D0UFB-7 DMP56D0UFB-7B DMP56D0UV-7 DMP57D5UFB-7 DMP57D5UV-7 DMP58D0LFB-7 DMP58D0LFB-7B

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