- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385315 > GS816218BGD-250 (GSI TECHNOLOGY) 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816218BGD-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/37頁 |
| 文件大小： | 866K |
| 代理商： | GS816218BGD-250 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
6/37
2004, GSI Technology
GS816218/36B BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
SCD
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816218BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BD-150 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BD-150I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BD-200 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BD-200I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816218BGD-250V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS816218DB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS816218DB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。