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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88236AD-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/38頁 |
| 文件大小： | 744K |
| 代理商： | GS88236AD-250 |
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GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 11/2004
13/38
2001, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS88218BB-150IV | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-150V | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-200IV | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS88218BB-200V | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS88236CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS88236CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88236CD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
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