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IS43DR81280C-3DBLI

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

IS43DR81280C-3DBLI
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷(xiāo)售部：馬先生
電話(huà)：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場(chǎng)C座1106/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
369
ISSI, Integrated Silicon
60-TWBGA
25+
-
真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

IS43DR81280C-3DBLI
深圳市百潤(rùn)電子有限公司
深圳市百潤(rùn)電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話(huà)：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A
20
ISSI
BGA-60
24+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

IS43DR81280C-3DBLI
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生
電話(huà)：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
137662
ISSI, Integrated Silicon
最新批次
-
全球渠道、原廠(chǎng)正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

IS43DR81280C-3DBLI
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
ISSI
con
24+
-
存儲(chǔ)器

IS43DR81280C-3DBLI
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話(huà)：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
ISSI
con
24+
-
存儲(chǔ)器

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IS43DR81280C-3DBLI PDF下載

功能描述
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA
制造商
issi, integrated silicon solution inc
系列
-
包裝
托盤(pán)
零件狀態(tài)
在售
格式 - 存儲(chǔ)器
RAM
存儲(chǔ)器類(lèi)型
DDR2 SDRAM
存儲(chǔ)容量
1G（128M x 8）
速度
333MHz
接口
并聯(lián)
電壓 - 電源
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
封裝/外殼
60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝
60-TWBGA（10.5x8）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

IS43DR81280C-3DBLI 技術(shù)參數(shù)

IS43DR81280C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:1G（128M x 8）速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR81280C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:1G（128M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR81280C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR2 SDRAM 存儲(chǔ)容量:1G（128M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR81280B-3DBL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR81280B-3DBLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR86400C-25DBLI IS43DR86400C-25DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL-TR IS43DR86400C-3DBI IS43DR86400C-3DBI-TR IS43DR86400C-3DBL IS43DR86400C-3DBLI IS43DR86400C-3DBLI-TR IS43DR86400C-3DBL-TR IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI-TR IS43DR86400D-3DBI IS43DR86400D-3DBI-TR IS43DR86400D-3DBLI IS43DR86400D-3DBLI-TR IS43DR86400E-25DBL IS43DR86400E-25DBLI IS43DR86400E-25DBLI-TR

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配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-84864007

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