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IS43DR82560C-25DBLI-TR

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IS43DR82560C-25DBLI-TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
640473
ISSI, Integrated Silicon
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-
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IS43DR82560C-25DBLI-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS43DR82560C-25DBLI-TR 技術參數(shù)

IS43DR82560C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:2G（256M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR82560C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:2G（256M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR81280C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G（128M x 8）速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR81280C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G（128M x 8）速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR81280C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G（128M x 8）速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400C-3DBL IS43DR86400C-3DBLI IS43DR86400C-3DBLI-TR IS43DR86400C-3DBL-TR IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI-TR IS43DR86400D-3DBI IS43DR86400D-3DBI-TR IS43DR86400D-3DBLI IS43DR86400D-3DBLI-TR IS43DR86400E-25DBL IS43DR86400E-25DBLI IS43DR86400E-25DBLI-TR IS43DR86400E-3DBL IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI-TR IS43LD16128B-18BL IS43LD16128B-18BLI

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