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APT15GN120SDQ1G

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APT15GN120SDQ1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條
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APT15GN120SDQ1G PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
High Speed PT IGBT

APT15GN120SDQ1G 技術(shù)參數(shù)

APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開(kāi)關(guān)能量:410μJ（開(kāi)），950μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:10ns/150ns 測(cè)試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15GN120BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開(kāi)關(guān)能量:410μJ（開(kāi)），950μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:10ns/150ns 測(cè)試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GF120JCU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 30A 156W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2882pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15GT60BRDQ1G APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW

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