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BUK98180-100A,115

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供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUK98180-100A,115
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
NXP
原廠原裝
1701+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

BUK98180-100A,115
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NXP Semiconductors
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

1/1頁 40條/頁共17條
1

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BUK98180-100A,115 PDF下載

功能描述
MOSFET TAPE-7 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK98180-100A,115 技術參數

BUK98150-55A/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:320pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:137 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BUK98150-55A,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:137 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:320pF @ 25V 功率 - 最大值:8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK98150-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BUK98150-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 BUK969R3-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:94.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 BUK9880-55A,115 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127 BUK9907-55ATE,127 BUK9C07-65BIT,118 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127 BUK9E15-60E,127 BUK9E1R6-30E,127 BUK9E1R8-40E,127