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BZV55-B57

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BZV55-B57 技術參數

BZV55-B56,115 功能描述:Zener Diode 56V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:2,500 BZV55B56 L1G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 42V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B56 L0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 42V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55-B51,115 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:2,500 BZV55B51 L1G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 38V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B62 L1G BZV55-B62,115 BZV55B68 L0G BZV55B68 L1G BZV55-B68,115 BZV55-B68,135 BZV55B6V2 L0G BZV55B6V2 L1G BZV55-B6V2,115 BZV55B6V8 L0G BZV55B6V8 L1G BZV55-B6V8,115 BZV55B75 L0G BZV55B75 L1G BZV55-B75,115 BZV55B7V5 L0G BZV55B7V5 L1G BZV55-B7V5,115