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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF93230 |
| 英文描述： | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| 中文描述： | - 200伏300kRad高可靠性單P溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 205AF包 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRHF93230 |
IRHF9230
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-6.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
5.0
5.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-12V
-4.0A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSF2N7390 | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| JANSR2N7390 | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| IRHG563110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHG567110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRHG3214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHG4110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG4214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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