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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF93230 |
| 英文描述： | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| 中文描述： | - 200伏300kRad高可靠性單P溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 205AF包 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRHF93230 |
IRHF9230
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSF2N7390 | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| JANSR2N7390 | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| IRHG563110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHG567110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHM150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHG110 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 950MA I(D) | DIP |
| IRHG3110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG3214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHG4110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG4214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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