- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360926 > IRF130SMD05 N-Channel PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF130SMD05 |
| 英文描述： | N-Channel |
| 中文描述： | N溝道 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | IRF130SMD05 |
IRF130SMD05
N
IRFN130SMD05
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukPrelim. 10/00
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
stg
R
q
JC
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
±20V
11A
7A
44A
45W
0.36W/°C
–55 to 150°C
2.8°C/W max.
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
SMD 05
N–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
FEATURES
HERMETICALLY SEALED
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
100V
11A
0.19
W
IRF130SMD05
IRFN130SMD05
PAD1 = GATE
PAD 2 DRAIN
PAD3 = SOURCE
PAD1 = SOURCE
PAD 2 = DRAIN
PAD3 = GATE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFN130SMD05 | N-Channel |
| IRF1310NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB |
| IRF1310NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB |
| IRF1360 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259AA |
| IRF130SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):11A,Rds(on):0.19Ω)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF130SMD05N | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL POWER MOSFET FOR HI–REL APPLICATIONS |
| IRF131 | 制造商:. 功能描述: |
| IRF1310N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| IRF1310NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 42A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| IRF1310NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。