- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄360929 > IRF620N Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF620N |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | IRF620N |
IRF630N/NS/NL
Power MOSFET
V
DSS =
200V, R
DS(on)
= 0.30 ohm, I
D
= 9.3 A
Mechanical Dimensions
Case TO262 Plastic
a
e
m
b
f
d
c
DIMENSIONS
Millimetres
Min
Max
10.29 10.54 0.405 0.415
9.91 10.54 0.390 0.415
13.47 14.09 0.530 0.555
Inches
Min
Dim
a
b
c
d
e
f
g
Max
h
j
k
m
n
1.15 0.045
1.15 1.40 0.045 0.055
0.69 0.93 0.027 0.037
2.54 Pitch 0.10 Pitch
4.20 4.69 0.165 0.185
1.22 1.32 0.048 0.052
0.46 0.55 0.018 0.022
2.64 2.92 0.104 0.115
3.55 4.06 0.140 0.160
g
n
j
k
h
1 2 3
Mechanical Dimensions
Case TO-220-AB Plastic
a
e
g
n
b
f
m
d
c
DIMENSIONS
Millimetres
Min
Max
10.29 10.54 0.405 0.415
2.62 2.87 0.103 0.113
6.10 6.47 0.240 0.255
3.54 3.78 0.139 0.149
14.84 15.24 0.584 0.600
13.47 14.09 0.530 0.555
1.15 0.045
1.15 1.400 0.045 0.055
2.54 0.100
3.550 4.06 0.140 0.160
4.20 4.69 0.165 0.185
1.22 1.32 0.048 0.052
2.64 2.92 0.104 0.115
0.48 0.55 0.018 0.022
0.69 0.93 0.027 0.037
Inches
Min
Dim
a
b
c
d
e
f
g
Max
h
j
k
m
n
p
q
r
p
k
h
j
q
j
r
1 2 3
4
3 - Source
1 - Gate
2 & 4 - Drain
3 - Source
1 - Gate
2 & 4 - Drain
4
Mechanical Dimensions
Case SMB 220 Plastic
a
e
p
k
n
j
b
f
m
d
c
DIMENSIONS
Millimetres
Min
Max
9.85 10.67 0.380 0.420
14.61 15.88 0.575 0.625
1.65 0.065
8.51 9.65 0.335 0.380
1.27 1.78 0.050 0.070
4.08 4.83 0.180 0.190
1.14 1.40 0.045 0.055
Inches
Min
Dim
a
b
c
d
e
f
g
Max
h
j
k
m
n
p
1.15 1.400 0.045 0.055
1.78 2.79 0.070 0.110
0.38 0.77 0.015 0.029
2.54 Pitch 0.10 Pitch
0.51 0.99 0.020 0.038
0.51 0.89 0.020 0.35
g
3 - Source
1 - Gate
2 & 4 - Drain
1 2 3
4
Page 2 of 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220VAR |
| IRF635 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF630S | N-channel TrenchMOS transistor |
| IRF630 | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管) |
| IRF630FP | N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF620PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF620R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
| IRF620R4587 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF620SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。