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參數資料
| 型號： | IRF630 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| 中文描述： | 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | IRF630 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF630, IRF630S
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
9
A
-
-
36
A
I
F
= 9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 9 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.85
92
0.5
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
| IRF640ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRF640STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRF640STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRF644A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF630A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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