- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360935 > IRFBC30AL 600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFBC30AL |
| 英文描述： | 600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| 中文描述： | 600V的單N溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 262封裝 |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 391K |
| 代理商： | IRFBC30AL |
IRFBC20S/L
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBC30ASTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFBC30ASTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-252AA |
| IRFBC30STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB |
| IRFBC30STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-263AB |
| IRFBC40ASTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFBC30ALPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30ASPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFBC30ASTRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。