- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360939 > IRFIZ24 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFIZ24 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 15A條（丁）|對251VAR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | IRFIZ24 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ24A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFWZ20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252VAR |
| IRFWZ24 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252VAR |
| IRFWZ24A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRFWZ34A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFIZ24A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-262AA |
| IRFIZ24E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFIZ24EPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIZ24G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFIZ24G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。