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參數資料
| 型號： | IRFP450LC |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 500V,14A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(500V,14A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 的500V，14A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（500V及14A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | IRFP450LC |
IRFP450LC
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
10 V
0
400
800
1200
1600
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
A
I
TOP 6.3A
8.9A
BOTTOM 14A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGPC30KD2 | |
| IRGPC40K | |
| IRGPC40KD2 | |
| IRGPC46 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247AC |
| IRGPC50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 55A I(C) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFP450LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AC |
| IRFP450NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP450PBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET |
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