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參數資料
| 型號： | IRFY9240M |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 7.7AI（四）|至220 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 619K |
| 代理商： | IRFY9240M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFY9310F | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | TO-220VAR |
| IRFY1310M-T257 | N-Channel Power MOSFET For HI-REL Application(Vds:100V,Id(max):14A,Rds(on):0.055Ω)(N溝道功率MOS場效應管,HI-REL應用(Vds:100V,Id(max):14A,Rds(on):0.055Ω)) |
| IRFY1310M-T257 | N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
| IRFY210 | N-Channel |
| IRFY210C | N-Channel |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFY9310F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | TO-220VAR |
| IRFZ 48NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
| IRFZ10 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ10_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ10PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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