- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360956 > IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRGTDN150M12 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 280A型我（丙） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 387K |
| 代理商： | IRGTDN150M12 |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRGTI0100M12 | 功能描述:整流器 1200 Volt 100 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| IRGTI090U06 | 制造商:IR 功能描述:IRGTI090U06 |
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| IRGVH50FD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258VAR |
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