- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361011 > IXGH30N60BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IXGH30N60BU1S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第60A條（c）的|至247SMD |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | IXGH30N60BU1S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH30N60U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| IXGH32N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH32N60BU1S | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH32N60CS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH39N60BS | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | TO-247SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGH30N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH30N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH30N60C2D1SN | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
| IXGH30N60C2D4 | 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A2,B2,C2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH30N60C3 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。