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參數資料
| 型號： | IXGK50N60BD1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|至264AA |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | IXGK50N60BD1 |
5 - 5
2000 IXYS All rights reserved
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
m
s
80
90
100
110
120
130
140
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0.0001
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1
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1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
m
s
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1
2
3
4
V
FR
V
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1000
0
400
800
A/
m
s
0
20
40
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0
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0
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2
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A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
A
V
nC
t
rr
ns
t
fr
A/
m
s
μ
s
DSEP 60-06A
Z
thJC
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 60A
Fig.14. Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13. Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12. Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
Q
r
I
RM
Fig. 15. Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16. Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17. Peak forward voltage V
FR
and
t
fr
versus di
F
/dt
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
t
fr
V
FR
Fig. 18. Transient thermal resistance junction to case
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.324
0.125
0.201
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0385
1
2
3
IXGK 50N60BD1
IXGX 50N60BD1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGX50N60BD1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247VAR |
| IXGK50N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.3V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| IXGM10N50 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
| IXGM10N60 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
| IXGA15N120C | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-263AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXGK50N60BU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 2.5V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK50N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGK55N120A3H1 | 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGK60N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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