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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXLD4429CPA |
| 英文描述： | MOSFET Driver |
| 中文描述： | MOSFET驅(qū)動(dòng)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/24頁(yè) |
| 文件大小： | 1885K |
| 代理商： | IXLD4429CPA |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXLD4429CTA | MOSFET Driver |
| IXLD4429IJA | MOSFET Driver |
| IXLD4429MJA | MOSFET Driver |
| IXLD1426COA | Dual MOSFET Driver |
| IXLD1426CPA | Dual MOSFET Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXLD4429CTA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOSFET Driver |
| IXLD4429IJA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOSFET Driver |
| IXLD4429MJA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOSFET Driver |
| IXLF19N250A | 功能描述:IGBT 晶體管 High Voltage IGBT 2500V; 19A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXLV19N250A | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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