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參數資料
| 型號： | IXTL25P10 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 100V的五（巴西）直|第25A條（丁）|至254 |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTL25P10 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTL350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXTL450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
| IXTL4P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-254 |
| IXTL5N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254 |
| IXTL5P40 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-254 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTL2N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N CH 4500V 2A I5PAK |
| IXTL2x180N10T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTL2x200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTL2x220N075T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTL2x240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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