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參數資料
| 型號： | KSA643OD27Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | KSA643OD27Z |
KSA643
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
Complement to KSD261
Collector Dissipation: P
C
=500mW
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
°
C)
* PW
≤
10ms, Duty cycle
≤
50%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
°
C)
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
h
FE
CLASSIFICATION
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (pulse)*
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
(DC)
I
C
(Pulse)*
P
C
T
J
T
STG
-40
-20
-5
-500
-700
500
150
-55 ~ 150
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -25V, I
=0
V
EB
= -3V, l
C
=0
V
= -1V, I
= -100mA *
IC= -500mA, IB= -50mA*
IC= -500mA, IB= -50mA*
-40
-20
-5
40
-0.3
-1.0
-200
-200
400
- 0.4
-1.3
V
V
V
nA
nA
V
V
Classification
R
O
Y
G
h
FE
40-80
70-140
120-240
200-400
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
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PDF描述 |
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