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參數資料
| 型號： | MSC7113VF1000 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數： | 11/60頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | StarCore |
| 類型： | SC1400 內核 |
| 接口： | 主機接口，I²C，UART |
| 時鐘速率： | 266MHz |
| 非易失內存： | 外部 |
| 芯片上RAM： | 208kB |
| 電壓 - 輸入/輸出： | 3.30V |
| 電壓 - 核心： | 1.20V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 400-LFBGA |
| 供應商設備封裝： | 400-MAPBGA（17x17） |
| 包裝： | 托盤 |
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Electrical Characteristics
MSC7113 Data Sheet, Rev. 11
Freescale Semiconductor
19
This section describes the DC electrical characteristics for the MSC7113.
Note:
The leakage current is measured for nominal voltage values must vary in the same direction (for example, both VDDIO
and VDDC vary by +2 percent or both vary by –2 percent).
Table 6 lists the DDR DRAM capacitance.
Table 5. DC Electrical Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
Core and PLL voltage
VDDC
VDDPLL
1.14
1.2
1.26
V
DRAM interface I/O voltage1
VDDM
2.375
2.5
2.625
V
I/O voltage
VDDIO
3.135
3.3
3.465
V
DRAM interface I/O reference voltage2
VREF
0.49
× VDDM
1.25
0.51
× VDDM
V
DRAM interface I/O termination voltage3
VTT
VREF – 0.04
VREF
VREF + 0.04
V
Input high CLKIN voltage
VIHCLK
2.4
3.0
3.465
V
DRAM interface input high I/O voltage
VIHM
VREF + 0.28
VDDM
VDDM + 0.3
V
DRAM interface input low I/O voltage
VILM
–0.3
GND
VREF – 0.18
V
Input leakage current, VIN = VDDIO
IIN
–1.0
0.09
1
A
VREF input leakage current
IVREF
——
5
A
Tri-state (high impedance off state) leakage current,
VIN = VDDIO
IOZ
–1.0
0.09
1
A
Signal low input current, VIL = 0.4 V
IL
–1.0
0.09
1
A
Signal high input current, VIH = 2.0 V
IH
–1.0
0.09
1
A
Output high voltage, IOH = –2 mA, except open drain pins
VOH
2.0
3.0
—
V
Output low voltage, IOL= 5 mA
VOL
—0
0.4
V
Typical power at 266 MHz5
P
—
293.0
—
mW
Notes:
1.
The value of VDDM at the MSC7113 device must remain within 50 mV of VDDM at the DRAM device at all times.
2.
VREF must be equal to 50% of VDDM and track VDDM variations as measured at the receiver. Peak-to-peak noise must not
exceed ±2% of the DC value.
3.
VTT is not applied directly to the MSC7113 device. It is the level measured at the far end signal termination. It should be equal
to VREF. This rail should track variations in the DC level of VREF.
4.
Output leakage for the memory interface is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ VOUT ≤ VDDM.
5.
The core power values were measured.using a standard EFR pattern at typical conditions (25°C, 300 MHz, 1.2 V core).
Table 6. DDR DRAM Capacitance
Parameter/Condition
Symbol
Max
Unit
Input/output capacitance: DQ, DQS
CIO
30
pF
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
30
pF
Note:
These values were measured under the following conditions:
VDDM = 2.5 V ± 0.125 V
f = 1 MHz
TA = 25°C
VOUT = VDDM/2
VOUT (peak to peak) = 0.2 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACB56DHNT-S621 | CONN EDGECARD 112POS .050 SLD |
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| EEC28DRTI-S13 | CONN EDGECARD 56POS .100 EXTEND |
| MSC7112VM1000 | DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA |
| GLC65-15G | PWR SPLY SWITCHER 65W 15V |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MSC7113VM800 | 功能描述:IC DSP PROCESSOR 16BIT 400MAPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - DSP（數字式信號處理器） 系列:StarCore 標準包裝:2 系列:StarCore 類型:SC140 內核 接口:DSI，以太網，RS-232 時鐘速率:400MHz 非易失內存:外部 芯片上RAM:1.436MB 電壓 - 輸入/輸出:3.30V 電壓 - 核心:1.20V 工作溫度:-40°C ~ 105°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:431-BFBGA，FCBGA 供應商設備封裝:431-FCPBGA（20x20） 包裝:托盤 |
| MSC7115VF1000 | 功能描述:DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - DSP（數字式信號處理器） 系列:StarCore 標準包裝:40 系列:TMS320DM64x, DaVinci™ 類型:定點 接口:I²C，McASP，McBSP 時鐘速率:400MHz 非易失內存:外部 芯片上RAM:160kB 電壓 - 輸入/輸出:3.30V 電壓 - 核心:1.20V 工作溫度:0°C ~ 90°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:548-BBGA，FCBGA 供應商設備封裝:548-FCBGA（27x27） 包裝:托盤 配用:TMDSDMK642-0E-ND - DEVELPER KIT W/NTSC CAMERA296-23038-ND - DSP STARTER KIT FOR TMS320C6416296-23059-ND - FLASHBURN PORTING KIT296-23058-ND - EVAL MODULE FOR DM642TMDSDMK642-ND - DEVELOPER KIT W/NTSC CAMERA |
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