FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 27A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 25V Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 320 毫歐 @ 500mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-264-3,TO-264AA