供應(yīng)歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號(hào):F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
歡迎來(lái)電洽淡！
深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生
EUPEC在"DN2"系列的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化開(kāi)關(guān)參數(shù)，推出了短拖尾電流的"MS4"系列，F(xiàn)4-50R12MS4更適用于電焊機(jī)、UPS、通信電源等頻率較高的應(yīng)用場(chǎng)合。由于這種模塊是四單元結(jié)構(gòu)，可以使原來(lái)的焊機(jī)每臺(tái)用兩個(gè)IGBT變成用一個(gè)，減少銅排降低成本,IGBT價(jià)格也比用原來(lái)的兩個(gè)模塊低20%-30%,可直接焊在PCB板上，且其F4-50R12MS4內(nèi)部封裝電感大大降低，為降低主電路電感提供了方便、可減少吸收回路等，也能更進(jìn)一步減少燒壞IGBT情況的發(fā)生，以提高焊機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)力。不少公司已成功批量用在了電焊機(jī)、UPS、電鍍電源、感應(yīng)加熱等上，焊機(jī)例如ZX7-400焊機(jī)使用F4-50R12MS4,什么是短拖尾電流:
As for high-power applICations, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,IGBT或BJT等少子半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)由于存在電流拖尾效應(yīng),而產(chǎn)生相當(dāng)高的關(guān)斷損耗。
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供應(yīng)歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號(hào):F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
歡迎來(lái)電洽淡！
深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生
EUPEC在"DN2"系列的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化開(kāi)關(guān)參數(shù)，推出了短拖尾電流的"MS4"系列，F(xiàn)4-50R12MS4更適用于電焊機(jī)、UPS、通信電源等頻率較高的應(yīng)用場(chǎng)合。由于這種模塊是四單元結(jié)構(gòu)，可以使原來(lái)的焊機(jī)每臺(tái)用兩個(gè)IGBT變成用一個(gè)，減少銅排降低成本,IGBT價(jià)格也比用原來(lái)的兩個(gè)模塊低20%-30%,可直接焊在PCB板上，且其F4-50R12MS4內(nèi)部封裝電感大大降低，為降低主電路電感提供了方便、可減少吸收回路等，也能更進(jìn)一步減少燒壞IGBT情況的發(fā)生，以提高焊機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)力。不少公司已成功批量用在了電焊機(jī)、UPS、電鍍電源、感應(yīng)加熱等上，焊機(jī)例如ZX7-400焊機(jī)使用F4-50R12MS4,什么是短拖尾電流:
As for high-power applications, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,IGBT或BJT等少子半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)由于存在電流拖尾效應(yīng),而產(chǎn)生相當(dāng)高的關(guān)斷損耗。
供應(yīng)歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號(hào):F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
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深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生
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As for high-power applications, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,IGBT或BJT等少子半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)由于存在電流拖尾效應(yīng),而產(chǎn)生相當(dāng)高的關(guān)斷損耗。
