供應歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號:F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
歡迎來電洽淡！
深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生
EUPEC在"DN2"系列的基礎上，進一步優化開關參數，推出了短拖尾電流的"MS4"系列，F4-50R12MS4更適用于電焊機、UPS、通信電源等頻率較高的應用場合。由于這種模塊是四單元結構，可以使原來的焊機每臺用兩個IGBT變成用一個，減少銅排降低成本,IGBT價格也比用原來的兩個模塊低20%-30%,可直接焊在PCB板上，且其F4-50R12MS4內部封裝電感大大降低，為降低主電路電感提供了方便、可減少吸收回路等，也能更進一步減少燒壞IGBT情況的發生，以提高焊機的競爭力。不少公司已成功批量用在了電焊機、UPS、電鍍電源、感應加熱等上，焊機例如ZX7-400焊機使用F4-50R12MS4,什么是短拖尾電流:
As for high-power applICations, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應用場合,IGBT或BJT等少子半導體開關在關斷時由于存在電流拖尾效應,而產生相當高的關斷損耗。
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供應歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號:F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
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EUPEC在"DN2"系列的基礎上，進一步優化開關參數，推出了短拖尾電流的"MS4"系列，F4-50R12MS4更適用于電焊機、UPS、通信電源等頻率較高的應用場合。由于這種模塊是四單元結構，可以使原來的焊機每臺用兩個IGBT變成用一個，減少銅排降低成本,IGBT價格也比用原來的兩個模塊低20%-30%,可直接焊在PCB板上，且其F4-50R12MS4內部封裝電感大大降低，為降低主電路電感提供了方便、可減少吸收回路等，也能更進一步減少燒壞IGBT情況的發生，以提高焊機的競爭力。不少公司已成功批量用在了電焊機、UPS、電鍍電源、感應加熱等上，焊機例如ZX7-400焊機使用F4-50R12MS4,什么是短拖尾電流:
As for high-power applications, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應用場合,IGBT或BJT等少子半導體開關在關斷時由于存在電流拖尾效應,而產生相當高的關斷損耗。
供應歐派克IGBT模塊F4-50R12MS4短拖尾電流系列！
型號:F4-50R12MS4
電流:50A
電壓:1200V
安裝方式:螺栓型
封裝形式:EconoDual2
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EUPEC在"DN2"系列的基礎上，進一步優化開關參數，推出了短拖尾電流的"MS4"系列，F4-50R12MS4更適用于電焊機、UPS、通信電源等頻率較高的應用場合。由于這種模塊是四單元結構，可以使原來的焊機每臺用兩個IGBT變成用一個，減少銅排降低成本,IGBT價格也比用原來的兩個模塊低20%-30%,可直接焊在PCB板上，且其F4-50R12MS4內部封裝電感大大降低，為降低主電路電感提供了方便、可減少吸收回路等，也能更進一步減少燒壞IGBT情況的發生，以提高焊機的競爭力。不少公司已成功批量用在了電焊機、UPS、電鍍電源、感應加熱等上，焊機例如ZX7-400焊機使用F4-50R12MS4,什么是短拖尾電流:
As for high-power applications, minority-carrier semiconductor devices (such as IGBTs and BJTs) are predominantly used. But they suffer from a current tail during the turn-off period, which causes considerably high turn-off switching power loss.
在大功率應用場合,IGBT或BJT等少子半導體開關在關斷時由于存在電流拖尾效應,而產生相當高的關斷損耗。
