供應BSM400GA120DN2 IGBT模塊
品牌:Infineon /EUPEC
型號:BSM400GA120DN2
電源電壓:1200(V)
飽和壓降:2.5 V
封裝:IGBT2 Standard技術62MM封裝
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BSM400GA120DN2由于有集電極-柵極寄生電容的密勒效應影響,能引起意外的電壓尖峰損害,所以設計時應讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負面影響。BSM400GA120DN2柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大影響。所以設計時應綜合考慮。BSM400GA120DN2應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率,從而抑制器件的dv/dt和uce的峰值,達到短路保護的目的。BSM400GA120DN2在工作電流較大的情況下,為了減小關斷過電壓,應盡量減小主電路的布線電感,吸收電容器應采用低感型。



