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SiBar半導體浪涌保護元件能夠保護敏感的電信設備和數據通信設備,防止雷擊瞬態電壓等過電壓事件造成損壞,在浪涌電壓超過擊穿電壓時起分流的作用.當電壓超過擊穿電壓時,SiBar半導體浪涌抑制器工作在保護特性曲線的低阻區,形成一個低阻通路,有效地降低過電壓.
SiBar半導體浪涌保護元件符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC6
SiBar元件與能量處理等級相同的 位器件相比,具有更低導通電壓和更小的體積,且電容小,適合應用于高速數據傳輸的電路中.
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