最小擊穿電壓 30 V 端子數(shù)量 5 加工封裝描述 ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN reach_compliant Yes 歐盟RoHS規(guī)范 Yes 狀態(tài) Active 額定雪崩能量 29 mJ 殼體連接 DRAIN 結(jié)構(gòu) SINGLE WITH BUILT-IN DIODE drain_current_max__abs___id_ 16 A 最大漏電流 13.5 A 最大漏極導通電阻 0.0100 ohm 場效應(yīng)晶體管技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR jedec_95_code MO-240AA jesd_30_code R-PDSO-F5 jesd_609_code e3 moisture_sensitivity_level 1 元件數(shù)量 1 操作模式 ENHANCEMENT MODE 最大工作溫度 150 Cel 包裝材料 PLASTIC/EPOXY 包裝形狀 RECTANGULAR 包裝尺寸 SMALL OUTLINE peak_reflow_temperature__cel_ 260 polarity_channel_type N-CHANNEL power_dissipation_max__abs_ 29 W 最大漏電流脈沖 50 A qualification_status COMMERCIAL sub_category FET General Purpose Power 表面貼裝 YES 端子涂層 MATTE TIN 端子形式 FLAT 端子位置 DUAL time_peak_reflow_temperature_max__s_ 30 晶體管應(yīng)用 SWITCHING 晶體管元件材料 SILICON